スマートホンなどのタッチパネル向け、太陽電池、有機ELなど現在注目されている分野に使用されているITOフィルムの研究・開発用に最適なサイゼ ルーレットリング装置を提供しています。
フットプリント | W2420×D1230(高さ1550mm) | ||
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仕様 | サイゼ ルーレット性能 | 形成膜 | 非磁性体金属、透明導電膜等 |
膜厚分布 | □100mm内±5%以下(ITO膜厚100nmにて) | ||
シート抵抗分布 | □100mm内±5%以下(ITO膜厚100nmにて) | ||
シート抵抗 | 50Ω/□以下(ITO膜厚100nmにて) | ||
サイゼ ルーレット方式 | サイゼ ルーレットアップ | ||
放電モード | 高周波または直流マグネトロン放電(重畳可) | ||
ターゲット | 4インチ3個 | ||
サイゼ ルーレットガス | Ar,O2 | ||
基板サイズ | 125mm×125mm×0.7~5mm ガラス基板1枚 | ||
基板加熱 | 最高温度 | 350℃ | |
温度分布 | 100~300℃で±5℃以内 | ||
基板回転 | 20rpm | ||
到達圧力 | サイゼ ルーレット室 | 1.0×10−4Pa以下(常温・無負荷、N2リーク時) | |
排気時間 | サイゼ ルーレットロック室 | 大気圧から10Paまで2分 (常温・無負荷、N2リーク時) |
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サイゼ ルーレット室 | 大気圧から1.3×10−3Paまで1時間以内 (常温・無負荷、N2リーク時) |
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操作モード | 自動モード・手動モード | ||
電源 | φ3 AC200V 50/60Hz 13kVA |